E2E-X2E1-M1G分體式帶插接近開關(guān)

接近傳感器

采用電纜保護器

新增直流二線式機種

二線式接近傳感器

非屏蔽式和屏蔽式兩種，屏蔽指的是徑向金屬設(shè)備干擾，通常屏蔽式是全螺紋包

裹，非屏蔽式通常檢測距離相對遠。

我司現(xiàn)有庫存如下：

E2E-C1B1
E2E-C1C1
E2E-CR8B1
E2E-CR8C1
E2E-CR8C2
E2E-X101-N-Z
E2E-X10E1-Z
E2E-X10F1-M1-Z
E2E-X10F1-Z
E2E-X10F1-Z
E2E-X10ME1-M1-Z
E2E-X10ME1-Z
E2E-X10ME2-Z
E2E-X10MF1-Z
E2E-X10MY1-Z
E2E-X10MY2-Z
E2E-X10T1-Z
E2E-X10Y1-Z
E2E-X10Y1-Z
E2E-X14M1-M1-Z
E2E-X14M1-M1G-Z

簡介

電感式接近開關(guān)由三大部分組成：振蕩器、開關(guān)電路及放大輸出電路。振蕩器產(chǎn)生一個交變磁場。當金屬目標接近這一磁場，并達到感應距離時，在金屬目標內(nèi)產(chǎn)生渦流，從而導致振蕩衰減，以至停振。振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉(zhuǎn)換成開關(guān)信號，觸發(fā)驅(qū)動控制器件，從而達到非接觸式之檢測目的

原理2.霍爾接近開關(guān)工作原理

原理簡介：

當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為

U=K·I·B/d

其中K為霍爾系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度，d是薄片的厚度。

由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關(guān)系。

霍爾開關(guān)就屬于這種有源磁電轉(zhuǎn)換器件，它是在霍爾效應原理的基礎(chǔ)上，利用集成封裝和組裝工藝制作而成，它可方便的把磁輸入信號轉(zhuǎn)換成實際應用中的電信號，同時又具備工業(yè)場合實際應用易操作和性的要求。

霍爾開關(guān)的輸入端是以磁感應強度B來表征的，當B值達到一定的程度(如B1)時，霍爾開關(guān)內(nèi)部的觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)，霍爾開關(guān)的輸出電平狀態(tài)也隨之翻轉(zhuǎn)。輸出端一般采用晶體管輸出，和其他傳感器類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型(雙極性)、雙信號輸出之分。

霍爾開關(guān)具有無觸點、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點，內(nèi)部采用環(huán)氧樹脂封灌成一體化，所以能在各類惡劣環(huán)境下的工作?；魻栭_關(guān)可應用于接近傳感器、壓力傳感器、里程表等，作為一種的電器配件。

線性接近傳感器的原理

工作原理：

線性接近傳感器是一種屬于金屬感應的線性器件，接通電源后，在傳感器的感應面將產(chǎn)生一個交變磁場，當金屬物體接近此感應面時，金屬中則產(chǎn)生渦流而吸取了振蕩器的能量，使振蕩器輸出幅度線性衰減，然后根據(jù)衰減量的變化來完成無接觸檢測物體的目的。

該接近傳感器具有無滑動觸點，工作時不受灰塵等非金屬因素的影響，并且低功耗，長壽命，可使用在各種惡劣條件下。線性傳感器主要應用在自動化裝備線對模擬量的智能控制。

電感式接近開關(guān)

工作原理

電感式接近開關(guān)由三大部分組成：振蕩器、開關(guān)電路及放大輸出電路。振蕩器產(chǎn)生一個交變磁場。當金屬目標接近這一磁場，并達到感應距離時，在金屬目標內(nèi)產(chǎn)生渦流，從而導致振蕩衰減，以至停振。振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉(zhuǎn)換成開關(guān)信號，觸發(fā)驅(qū)動控制器件，從而達到非接觸式之檢測目的。

E2E-X14M1-Z
E2E-X14M1S-Z
E2E-X14M2-Z
E2E-X18ME1-Z
E2E-X18MF1-Z
E2E-X18MY1-Z
E2E-X18MY2-Z
E2E-X1B1
E2E-X1C1
E2E-X1C2
E2E-X1R5E1-M3-Z
E2E-X1R5E1-Z
E2E-X1R5E2-Z
E2E-X1R5F1-M1-Z
E2E-X1R5F1-Z